انجمن کامپیوتر ایران علوم رایانش و فناوری اطلاعات 2676-5438 13 2 2015 11 22 افزایش طول‌عمر حافظه‌ی نهان سطح آخر غیرفرار با کمک بلوک‌های ذخیره 162343 FA محمدرضا جوکار دانشکده علوم ﻛﺎﻣﭙﻴﻮﺗﺮ،دانشگاه شیکاگو، ایلینوی، اﻳﺮان دانشکده مهندسیﻛﺎﻣﭙﻴﻮﺗﺮ،دانشگاه صنعتی شریف، تهران، اﻳﺮان محمد ارجمند دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه ایالتی پنسیلوانیا،پنسیلوانیا، آمریکا دانشکده مهندسی ﻛﺎﻣﭙﻴﻮﺗﺮ،دانشگاه ﺻﻨﻌﺘیﺷﺮﻳﻒ،ﺗﻬﺮان، اﻳﺮان حمید سربازی‌آزاد دانشکده مهندسی ﻛﺎﻣﭙﻴﻮﺗﺮ،دانشگاه ﺻﻨﻌﺘیﺷﺮﻳﻒ،ﺗﻬﺮان، اﻳﺮان دانشکده علوم ﻛﺎﻣﭙﻴﻮﺗﺮ، پژوهشگاه دانش های بنیادی (IPM)، ﺗﻬﺮان، اﻳﺮان Journal Article 2022 12 06 تکنولوژی حافظه‌های غیرفرار همچون STT-RAM، دارای چگالی سلول بالا بوده و همچنین توان نشتی تقریبا صفر دارند. در نتیجه می‌توانند به عنوان یک جایگزین مناسب برای حافظه‌های نهان متداول امروزی همچون SRAM، در نظر گرفته شوند. در مقابل مزایای ذکر شده، این حافظه‌ها دارای قابلیت تحمل نوشتن محدود هستند که می‌تواند منجر به طول‌عمر پایین آنها شود. در این مقاله یک راهکار برای افزایش طول‌عمر این نوع حافظه‌ها ارائه می‌شود که مبتنی بر اضافه کردن بلوک‌های ذخیره به ازاء هر مجموعه از حافظه‌ی نهان است. با خرابی یک بلوک از یک مجموعه، راهکار پیشنهادی به صورت هوشمند و بدون تاثیر منفی بر کارایی سیستم، بلوک خراب را از آن مجموعه خارج کرده و یک بلوک ذخیره را به آن مجموعه اضافه می‌کند. https://www.jcsit.ir/article_162343_485cccdb0fa2447e0a235337d83cd3ca.pdf